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IPB029N06N3GE8187ATMA1相关型号

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Infineon英飞凌热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPB029N06N3GE8187ATMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPB029N06N3GE8187ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-263-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:120 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2.9 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:53 nC
  • Pd-功率耗散:188 W
  • 配置:Single
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:IPB029N06
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:9.25 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 零件号别名:E8187 G IPB029N06N3 IPB29N6N3GE8187XT SP000939334
  • 单位重量:2 g

其它信息

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