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Infineon英飞凌热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • IRFB3307PBF

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)130A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)6.3 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 150µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)180nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5150pF @ 50V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)200W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220AB
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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